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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	安装类型	包装/外壳	表面安装	供应商器件包装	终端数量	晶体管元件材料																			Maximum Drain Source Resistance (MOhm)								厂商																																									操作温度	JESD-609代码	零件状态	端子表面处理	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	配置
IPP04N03LBGXK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	3.8@10V							Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	30	±20	80	30@5V	3912@15V	107000	6	9	39	11	-55	175	通孔	9.25	4.4	10	3		Tab	TO-220	TO-220AB	通孔		Tube				Obsolete									3			Single																	N
SPI15N60CFDXKSA1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	330@10V	TO-262	通孔							Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	CoolMOS	Enhancement	1	600	±20	13.4	63@10V	63	1820@25V	156000	5	24	47	43	-55	150	通孔	9.25	4.4	10		3	Tab	I2PAK		Tube				Obsolete									3			Single																	N
AO6702	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]	Compliant	EAR99	Unknown	功率MOSFET	Enhancement	1	20	±8	3.8	[email protected]	449@10V	1150	7.1	6	32.7	4.5	-55	150	表面贴装	1.1	1.6	2.9	6	SOP	TSOP		Gull-wing												Obsolete									6			单四排液																	N
SPD18P06PT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	130@10V	TO-252	DPAK							供应商未确认	EAR99	8541.21.00.75	无	无	功率MOSFET	SIPMOS	Enhancement	1	60	±20	18.6	22@10V	22	690@25V	80000	11	5.8	24.5	12	-55	175	表面贴装	2.3	6.22		6.5	2	Tab		卷带				Unconfirmed									3			Single																	P
IPD105N03LGXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10.5@10V							Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	30	±20	35	14@10V\|[email protected]	14	1100@15V	38000	2.4	14	14	3.7	-55	175	表面贴装	2.3	6.22	6.5		2	Tab	TO-252	DPAK		卷带				Obsolete									3			Single																	N
IPG20N06S3L23XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	23@10V							Compliant	EAR99	有	Unknown	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	2	55	±16	20	32@10V	32	2270@25V	45000	75	35	40	10	-55	175	表面贴装	1	5.9	5.15		8	SON	TDSON EP	No Lead		卷带				Obsolete									8			Dual																	N
NVTFS4824NWFTAG	Vishay	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	4.7@10V		175	表面贴装	0.75(Max)	3.05	3.05	8	DFN	WDFN暴露焊盘	No Lead							符合免除	EAR99	8541.29.00.95	有	有	有	有	功率MOSFET	Enhancement	1	30	±20	2.5	18.2	100	1	[email protected]\|29@10V	29	1740@12V	3200	6	27	20	12	-55		卷带				Obsolete									8			单四漏三源															N
IPW60R099P6XSA1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	99@10V		通孔	21.1(Max)	5.21(Max)	16.3(Max)	3	Tab	TO-247	TO-247	通孔							Compliant	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	CoolMOS P6	Enhancement	1	600	20	4.5	37.9	100	5	70@10V	70	3330@100V	278000	5	10	50	20	-55	150		Tube				活跃									3			Single															N
2N6849JANTXV	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	700@10V	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔							不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	400	±20	10	65(Max)@10V	65(Max)	1400@25V	125000	58(Max)	92(Max)	79(Max)	25(Max)	-55	150	Military	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)		13.84(Max)	3						活跃									3			Single																	N
FDP8874_SN00117	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1								符合免除	有	110000							Obsolete
FDB66N15TM	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	2	SILICON	357000	180	36@10V	480	65	40	-55	150	表面贴装	4.83(Max)		9.65(Max)	10.67(Max)	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing	LEAD FREE, D2PAK-3	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	有	FDB66N15TM	RECTANGULAR	Fairchild Semiconductor Corporation	1	Obsolete	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP	5.39	TO-263	66 A				符合免除	EAR99	8542.31.00.01	有	有	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	150	±30	66	49@10V	49	2200@25V		卷带		e3		Obsolete	EAR99	Matte Tin (Sn)			SINGLE	鸥翼		not_compliant	3	R-PSSO-G2	不合格	Single	增强型MOSFET	DRAIN	SWITCHING				N-CHANNEL		TO-263	0.036 Ω	264 A	150 V	N	1240 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
SI4466DY	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]			Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	20	±12	15	47@5V	4700@10V	2500	35	27	95	20	-55	150	表面贴装	1.65(Max)	3.9	4.9	8	SOP		SOIC N	Gull-wing						卷带				Obsolete									8			单四漏三源																	N
IRFR120ATF	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	2	SILICON	200@10V	2.3	6.1	6.6	2	Tab		TO-252	DPAK	DPAK-3	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	未说明	有	IRFR120ATF	RECTANGULAR	Rochester Electronics LLC	1	活跃	ROCHESTER ELECTRONICS LLC	5.12	TO-252	8.4 A				EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	8.4	16@10V	16	370@25V	2500	28	14	36	14	-55	150	表面贴装		卷带		e3	有	Obsolete		哑光锡			SINGLE	鸥翼	260	unknown	3	R-PSSO-G2	COMMERCIAL	Single	增强型MOSFET	DRAIN			SWITCHING			N-CHANNEL	TO-252	0.2 Ω	34 A	100 V	N	141 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
SI4925DY	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1						Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	2	30	±20	6	32@10V	14.5@5V	1540@15V	2000	18	22	47	13		-55	150	表面贴装	1.65(Max)	3.9	4.9	8		SOP	SOIC N	Gull-wing			卷带				Obsolete									8			双排双泄																	P
SI4874DY	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7.5@10V					Compliant	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	30	±20	13	35@5V	3200@15V	2500	42	15	85	15	-55	150	表面贴装	1.65(Max)	3.9	4.9	8		SOP	SOIC N	Gull-wing								Obsolete									8			单四漏三源																	N
SI4963DY	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]					Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	TMOS	Enhancement	2	20	±12	6.2	[email protected]	1456@10V	2000	37	11	57	15	-55	175	表面贴装	1.65(Max)	3.9	4.9	8		SOP	SOIC N	Gull-wing				卷带				Obsolete									8			双排双泄																	P
DMN62D0UDWQ-7	Diodes Incorporated	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363	Diodes Incorporated	N通道	350mA	3000	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated				Tape & Reel (TR)	活跃	350mA (Ta)	DMN62		MSL 1 - Unlimited	AEC-Q101	-55°C ~ 150°C (TJ)		Automotive, AEC-Q101						MOSFETs	Si											320mW (Ta)	2 N-Channel (Dual)		2Ohm @ 100mA, 4.5V	1.1V @ 250μA	32pF @ 30V	0.5nC @ 4.5V	60V		MOSFET					N通道			Standard	MOSFET
DMN33D8LDWQ-7	Diodes Incorporated	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363	Diodes Incorporated	250mA (Ta)	SOT-363	Enhancement	3000		Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Details				Tape & Reel (TR)	活跃	-55°C ~ 150°C (TJ)	MouseReel	Automotive, AEC-Q101						MOSFETs						6						350mW (Ta)	2 N-Channel (Dual)		2.4Ohm @ 250mA, 10V	1.5V @ 100μA	48pF @ 5V	1.23nC @ 10V	30V		MOSFET					N			Standard	MOSFET
2N7002DWK-13	Diodes Incorporated	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363	Diodes Incorporated		Details				Tape & Reel (TR)	活跃	261mA (Ta)	2N7002	10000	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	-55°C ~ 150°C (TJ)	MouseReel	-						MOSFETs												330mW (Ta)	2 N-Channel (Dual)		3Ohm @ 200mA, 10V	2V @ 250μA	41pF @ 30V	1.04nC @ 10V	60V		MOSFET								Standard	MOSFET
DMP2040UND-7	Diodes Incorporated	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-PowerVDFN	PowerDI3333-8 (Type UXB)	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Details				Tape & Reel (TR)		活跃	5.3A (Ta), 13.6A (Tc)	2	PowerDI3333-8	Enhancement	MSL 1 - Unlimited	-	P Channel	13.6A	2000	Diodes Incorporated	-55°C ~ 150°C (TJ)	MouseReel	-						MOSFETs						8						900mW (Ta)	2 P-Channel (Dual)		36mOhm @ 8.9A, 4.5V	1.5V @ 250μA	834pF @ 10V	20nC @ 10V	20V		MOSFET					P			Standard	MOSFET
DMN10H220LDV-7	Diodes Incorporated	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-PowerVDFN	PowerDI3333-8 (Type UXC)	Diodes Incorporated		Tape & Reel (TR)	活跃		10.5A (Tc)	1	PowerDI3333-8	Enhancement	-	-	N通道	10.5A	2000	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated			-55°C ~ 150°C (TJ)	MouseReel	-						MOSFETs	Si					8						1.8W (Ta), 40W (Tc)	2 N-Channel (Dual)		222mOhm @ 2A, 10V	2.5V @ 250μA	366pF @ 50V	6.7nC @ 10V	100V		MOSFET					N			Standard	MOSFET
DMT3020UFDB-13	Diodes Incorporated	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	6-UDFN Exposed Pad	U-DFN2020-6 (Type B)	Diodes Incorporated	活跃	6.5A (Ta)	DMT3020	10000	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated					Tape & Reel (TR)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Reel	-						MOSFETs												860mW	N and P-Channel		21mOhm @ 6A, 10V	1.7V @ 250μA	383pF @ 15V	8.8nC @ 10V	30V		MOSFET								Standard	MOSFET
MSCSM170AM058CT6AG	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	Module	-	微芯片技术		Details				Bulk	活跃	353A (Tc)	MSCSM170	1	Microchip	Microchip Technology / Atmel	-40°C ~ 175°C (TJ)		-						MOSFETs												1.642kW (Tc)	2 N Channel (Phase Leg)		7.5mOhm @ 180A, 20V	3.3V @ 15mA	19800pF @ 1000V	1068nC @ 20V	1700V (1.7kV)		MOSFET								Silicon Carbide (SiC)	MOSFET
MSCSM170HM45CT3AG	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	Module	-	微芯片技术		Details				Bulk	活跃	64A (Tc)	MSCSM170	1	Microchip	微芯片技术	-40°C ~ 175°C (TJ)		-						Discrete Semiconductor Modules	Si											319W (Tc)	4 N-Channel (Full Bridge)		45mOhm @ 30A, 20V	3.2V @ 2.5mA	3300pF @ 1000V	178nC @ 20V	1700V (1.7kV)		Discrete Semiconductor Modules								Silicon Carbide (SiC)	Discrete Semiconductor Modules
DMN2710UDWQ-13	Diodes Incorporated	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363	Diodes Incorporated				Tape & Reel (TR)	活跃	800mA (Ta)	10000	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated		-55°C ~ 150°C (TJ)	MouseReel	Automotive, AEC-Q101						MOSFETs												360mW (Ta)	2 N-Channel (Dual)		450mOhm @ 600mA, 4.5V	1V @ 250μA	42pF @ 16V	0.6nC @ 4.5V	20V		MOSFET								-	MOSFET